电子半导体

电子半导体生产用超纯水对TOC、DO、SIO2、Particulate的控制极其严格，达到PPb级，产水水质要求在18.2MΩ*cm（25℃）以上。

半导体超纯水系统是工业水处理系统中设计施工最为复杂，材料选择最为讲究，运行控制最为精密的系统，包括了众多的子系统，功能单元及配套系统，所以半导体超纯水的制备过程可以用“千锤百炼”来形容。

业界有不同的方式将半导体超纯水系统细分成不同的子系统，这里将其细分为预处理、除盐水、纯水、循环抛光及回收五大子系统。

在半导体制作工艺中，80%以上的工序要经过化学处理，而每一道化学处理都离不开超纯水：在硅片的处理工序中，一半以上的工序经过超纯水清洗后便直接进入高温处理过程，此时如水中含有杂质便会进入硅片，造成器件性能下降成品率低。电子工业提出的超纯水电阻率≥18MΩ.cm(25℃)，已极其接近理论纯水水质18.3MΩ.cm(25℃）。对电解质、DO、TOC、SIO2、颗粒及细菌等技术指标提出更高要求。如256 兆位的动态随机储存器生产工艺，光刻线条宽已达0.1微米，要保证这一指标，超纯水中颗粒径就得≤0.05μm，而且≥0.05μm不得超过500个/升超纯水。

半导体IC封装超纯水可选工艺流程：

工艺流程1：MMF+ACF+2B3T+RO+MB+2SMB

工艺流程2：ROC+TGM+2SMB+UF

工艺流程3：HEX+MDG+UV+MF+2EDI+MB+HEX+MDG+TOC+2SMBB+2UF

设备优点

目前制备电子工业用超纯水的工艺基本上是以上三种，其余的工艺流程大都是在以上三种基本工艺流程的基础上进行不同组合搭配衍生而来。现将他们的优缺点分别列于右边：

设备优点

第一种 采用离子交换树脂

其优点在于初投资少，占用的地方少，但缺点就是需要经常进行离子再生，耗费大量酸碱，而且对环境有一定的破坏。
第二种 采用反渗透作为预处理再配上离子交换

其特点为初次投资比采用离子交换树脂方式要高，但离子再生周期相对要长，耗费的酸碱比单纯采用离子树脂的方式要少很多。但对环境还有一定破坏性。
第三种 采用反渗透作预处理
再配上电去离子(EDI)装置

这是目前制取超纯水最经济，最环保的工艺，不需要用酸碱进行再生便可连续制取超纯水，对环境没什么破坏性。

技术要求

半导体芯片用水主要在于前端晶棒硅切片冷却用水，基板晶圆片检测清洗用水，中段晶圆片溅镀、曝光、电镀、光刻、腐蚀等工艺清洗，后段检测封装清洗。LED芯片主要是前段在MOCVD外延片生长用水，中段主要在曝光、显影、去光阻清洗用水，后段检测封装用水。同时，半导体行业对溶解氧、固体颗粒、二氧化硅、TOC的要求较高，达到PPB或者PPT级。

水质标准

1、ASTM-D5127-2007《美国电子学和半导体工业用超纯水标准》

2、欧盟电子级超纯水标准

3、中国电子工业国家标准GB/T11446.1-1997