在晶体管、集成电路生产中，纯水主要用于清洗硅片，另有少量用于药液配制，硅片氧化的水汽源，部分设备的冷却水，配制电镀液等。集成电路生产过程中的80%的工序需要使用高纯水清洗硅片，水质的好坏与集成电路的产品质量及生产成品率关系很大。水中的碱金属(K、Na等)会使绝缘膜耐压不良，重金属(Au、Ag、Cu等)会使PN结耐压降低，Ⅲ族元素(B、Al、Ga等)会使N型半导体特性恶化，Ⅴ族元素(P、As、Sb等)会使P型半导体特性恶化，水中细菌高温碳化后的磷(约占灰分的20-50%)会使P型硅片上的局部区域变为N型硅而导致器件性能变坏，水中的颗粒(包括细菌)如吸附在硅片表面，就会引起电路短路或特性变差。集成电路(DRAM)集成度16K的要求是电阻率16兆欧以上，集成电路(DRAM)集成度64K的要求是电阻率16兆欧以上，集成电路(DRAM)集成度256K的要求是电阻率≥17MΩ.cm，集成电路(DRAM)集成度1M的要求电阻率≥18MΩ.cm，集成电路(DRAM)集成度4M的要求电阻率≥18MΩ.cm，集成电路(DRAM)集成度16M的要求电阻率≥18.2MΩ.cm。针对多晶硅加工工艺需求和当地水源情况，可采用工艺流程:ASS+UF+1RO+2RO+EDI+SMB或MMF+ACF+1RO+2RO+EDI+SMB工艺流程，纯水一号采用国内先进设计理念，确保系统设备产水达到标准。
设备优点
目前制备电子工业用超纯水的工艺基本上是以上三种，其余的工艺流程大都是在以上三种基本工艺流程的基础上进行不同组合搭配衍生而来。现将他们的优缺点分别列于右边：
设备优点
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第一种 采用离子交换树脂
其优点在于初投资少，占用的地方少，但缺点就是需要经常进行离子再生，耗费大量酸碱，而且对环境有一定的破坏。
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第二种 采用反渗透作为预处理再配上离子交换
其特点为初投次比采用离子交换树脂方式要高，但离子再生周期相对要长，耗费的酸碱比单纯采用离子树脂的方式要少很多。但对环境还是有一定的破坏性。
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第三种 采用反渗透作预处理
再配上电去离子(EDI)装置
这是目前制取超纯水最经济，最环保用来制取超纯水的工艺，不需要用酸碱进行再生便可连续制取超纯水，对环境没什么破坏性。其缺点在于初投资相对以上两种方式稍贵一点。
技术要求
采用膜表面高分子嫁接技术，产水TOC在20PPB以下，更适用电子级超纯水系统。 高TOC脱除率、高抗污染能力、低TOC溶出率，TOC达标冲洗时间短、先进配套电源技术，能耗更低。
水质标准
1、ASTM-D5127-2007《美国电子学和半导体工业用超纯水标准》
2、欧盟电子级超纯水标准
3、中国电子工业国家标准
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